汽车制造商越来越多地开发电动汽车（EV），但他们的短距离驾驶范围仍然存在问题。虽然空气动力学设计，更轻的材料和更高效的电力使用确实有帮助，但这还不够。汽车电力电子设计人员需要使用先进的宽带隙半导体（WBG）材料来满足效率和功率密度要求。

这些材料主要由氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）组成，是对硅（Si）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等现有半导体技术的改进。更低的损耗，更高的开关频率，更高的工作温度，恶劣环境下的坚固性以及高击穿电压。它们特别有用，因为该行业正朝着更高容量的电池发展，这些电池在高电压下工作，充电时间更短，总体损耗更低。

WBG半导体的优势

通过回顾，带隙是将电子从材料的价带激发到导带所需的能量，WBG材料的带隙明显大于硅的带隙（图1）。而Si的带隙为1.1电子伏特（eV）; SiC具有3.3eV的带隙，GaN具有3.4eV的带隙。

图1：Si半导体在导带和价带之间的带隙比SiC和GaN窄，因此后两者的名称为“宽带隙半导体”。（图片来源：STMicroelectronics）

WBG半导体允许器件在比传统硅更高的电压，频率和温度下工作。更重要的是，开关和传导损耗更低。WB的材料具有比Si大约十倍的导通和开关特性。这些能力使WBG技术成为电力电子产品的天然尺寸，尤其适用于电动汽车，因为SiC和GaN元件可以做得更小，操作更快，效率更高。

WBG设备的优势必须与制造复杂性和大批量生产的更高成本相平衡。虽然WBG组件最初可能更昂贵，但其成本继续下降，并且一般而言，它们将实现整体系统成本节省。例如，在EV中使用SiC器件可能会增加数百美元的额外前期成本，但由于电池成本降低，空间需求降低以及更小的散热器或对流冷却等更简单的冷却措施，可以节省总体成本。

SiC用于主逆变器

牵引逆变器控制EV中的牵引电动机，是可以受益于WBG部件的关键EV系统的示例。逆变器的核心功能是将直流电压转换为三相交流波形，以驱动EV的电机，然后将再生制动产生的交流电压转换回直流电压，为电池充电。由于逆变器将存储在电池组中的能量转换为AC以驱动电动机，因此能量转换中的损失越低，系统越有效。与硅相比，SiC器件的增强的导电性和更快的开关频率降低了功率损耗，因为作为热量损失的能量更少。最终，基于SiC的逆变器的更高效率将显示为更高的EV里程。

处理大电流的电源模块通常是IGBT类型，将Si IGBT与Si快速恢复二极管（FRD）相结合，这是汽车逆变器模块中常用的配置。然而，与Si IGBT现有器件相比，SiC提供更高的工作温度和更高的开关速度。这些功能对于牵引逆变器而言是最佳选择，因为它们需要将大量能量传输到电池和从电池传输。

原因如下：由于IGBT是开关元件，其开关速度（导通时间，关断时间）是影响效率（损耗）的关键参数之一。对于IGBT，在开关性能的代价下实现了高击穿电压下的低电阻; 在器件关断期间存在“耗散时间”，这会增加开关损耗。结果，IGBT具有相对低的效率。如果在逆变器模块中使用MOSFET代替IGBT，则可以实现更高的效率，因为它们具有更短的关断时间和更高的工作频率。然而，Si MOSFET也存在问题; 与Si IGBT相比，它们具有较大的“导通”电阻。

利用SiC的有利特性，与IGBT相比，芯片面积几乎减小一半的SiC MOSFET可以结合电源开关的四个理想特性：

l 高压

l 阻力低

l 切换速度快

l 低开关损耗（特别是关断损耗）

更宽的带隙还意味着SiC器件通常可以在150°C至175°C的温度范围内工作，并且在正确封装时，200°C或更高。

作为SiC肖特基势垒二极管（SBD），在SiC SBD中，形成与SiC半导体的金属结以获得肖特基势垒。但与硅FRD不同，它们的优势在宽电流和工作温度范围内不会发生显着变化。SiC部件的介电击穿场也比硅高出十倍。因此，目前正在大规模生产额定电压为1200伏的SiC产品，因此成本相应下降。此外，额定电压为1700伏的产品正在开发中。

SiC二极管也不会显示正向和反向恢复损耗，只是少量的容量电荷损耗。研究表明，采用SiC SBD的开关损耗比Si快恢复二极管低90％，其中结温会影响恢复电流和恢复时间。结果，与Si二极管相比，SiC二极管产生相当低的品质因数（FoM）（Qc×Vf）。较低的FOM意味着较低的功率损耗，因此具有更好的电气性。

碳化硅材料存在一些缺点。其中一个是正热系数，意味着温度越高，正向电压（Vf）越高。如果通过二极管的电流增加，则正向压降也会增加。当向二极管施加较高电流时，这种传导损耗会导致热失控。

然而，SiC MOSFET和SBD结合在一起，使系统设计人员能够提高效率，降低散热器的尺寸和成本，提高开关频率以减小磁性元件的尺寸，并缩小最终设计的成本，尺寸和重量。使用SiC的EV逆变器可以比Si基等效物小5倍，轻3倍，功率损耗低50％。

例如，ROHM Semiconductor开发了BSM300D12P2E001半桥SiC功率模块，将SiC MOSFET与SiC SBD集成在一个封装中，最大限度地降低了先前由IGBT尾电流和FRD恢复损耗引起的开关损耗（图2）。

图2：IGBT模块相比，集成SiC MOSFET和SBD的全SiC功率模块可实现更低的损耗，即使在高速开关操作期间也是如此。（图片来源：ROHM Semiconductor）

与IGBT相比，ROHM Semiconductor的SiC基MOSFET具有73％的规定损耗降低。它们的MOSFET系列可以处理高达1700伏的电压，导通电阻范围为45毫欧（mΩ）至1150mΩ。它们采用TO-247N，TO-3PFM，TO-268-L和TO-220封装。

ROHM还生产符合AEC-Q101标准的汽车级  SiC肖特基势垒二极管，具有恢复时间短，高速开关能力，低温度依赖性，低正向电压以及在6至20安培电流下可处理高达650伏特的能力（一个）。

SiC器件在电动汽车中的作用

特斯拉是第一家为其主逆变器集成全SiC功率模块的电动汽车制造商，在特斯拉3型轿车中也是如此。特斯拉以前的车型，S型和X型，采用TO-247封装的IGBT。与意法半导体合作，特斯拉逆变器由组装在散热器上的SiC功率模块组成。1与STMicroelectronics的SCT10N120一样，MOSFET的额定电压为650伏，并使用铜基板进行散热。

用于EV的充电装置在工厂安装，称为“车载充电器”（OBC）。在EV或插电式混合动力EV（PHEV）中，OBC提供了在家中或从私人或公共充电站中的插座为AC电源充电的方法。OBC使用AC / DC转换器将50/60赫兹（Hz）交流电压（100至240伏）转换为直流电压，为高压牵引电池充电（通常约为400伏直流电）。它还根据电池要求调整直流电平，提供电流隔离，并包括交流/直流功率因数校正（PFC）（图3）。

图3：在典型的EV OBC中，SiC二极管可用于例如PFC级作为升压二极管或与图腾柱拓扑中的N沟道IGBT并联。（图片来源：英飞凌科技）

GaN获得效率的牵引力

OBC的设计要求是具有最高的效率和可靠性，以确保快速充电时间，同时满足EV制造商有限的空间和重量要求。使用GaN技术的OBC设计可以简化EV冷却系统并减少充电时间和功率损耗。商用GaN功率器件在汽车市场份额方面落后于SiC，但它们表现出令人印象深刻的性能并且正在迅速获得牵引力。与SiC器件一样，GaN器件具有更低的开关损耗，更快的开关速度，更高的功率密度，并可实现整体系统尺寸，重量和成本降低。

例如，Transphorm的TP65H035WSQA是符合汽车级AEC-Q101标准的GaN FET，在鉴定测试期间的温度高达175°C（图4）。该器件采用标准TO-247封装，典型导通电阻为35mΩ。与其前代产品49mΩGenII TPH3205WSBQA一样，该器件适用于插入式混合动力电动汽车和电池电动汽车的AC / DC OBC，DC / DC转换器和DC / AC逆变器系统，可实现交流/直流无桥图腾柱PFC设计。

Transphorm TPH3205WSBQA 650伏，49mΩGaiFET

图4：Transphorm TPH3205WSBQA 650伏，49mΩGaNFET符合汽车标准，已通过汽车级分立半导体的AEC-Q101压力测试。（图片来源：Transphorm）

虽然典型的Si MOSFET具有50伏/纳秒（ns）的最大dV / dt额定值，但TP65H035WS GaN FET将以100伏/秒或更高的dV / dt切换，以实现尽可能低的开关损耗。在这种操作水平下，即使布局也会成为性能的重要因素。推荐的布局保持最小的栅极驱动环路，并保持开关节点之间的走线非常短，最短的实际返回走线到电源总线和地。电源接地平面提供了大的横截面积，以在整个电路中实现均匀的地电位。布局小心地将电源地和IC（小信号）接地分开，仅将它们连接到FET的源极引脚，以避免任何可能的接地回路。

英飞凌的AIDW20S65C5XKSA1是该公司第五代CoolSiC汽车肖特基二极管的一部分，也是混合动力汽车和电动汽车中OBC应用的开发，是该公司IGBT和CoolMOS产品系列的补充，可满足650伏级汽车应用的要求。

得益于新的钝化层概念，这是市场上最耐用的汽车设备之一，具有耐湿性和耐腐蚀性。由于它基于110微米（μm）薄晶圆技术，因此它也展示了同类产品中最好的FOM之一，这意味着更低的功率损耗，从而提高电气性能。

与传统的Si FRD相比，英飞凌CoolSiC汽车肖特基二极管可在所有负载条件下将OBC的效率提高一个百分点。

使用SiC和GaN器件

除了前面提到的精心布局外，SiC部件的一个潜在问题是它们的驱动要求，这与IGBT器件非常不同。虽然大多数晶体管通常具有使用对称轨道（例如±5伏）的驱动要求，但SiC器件需要较小的负电压以确保它们完全关闭，因此它们需要不对称的轨道（例如-1伏至-20）伏）。

此外，虽然SiC具有优异的热性能并且与硅相比能够传导大量的热能，但是SiC部件可以使用设计并用于Si的封装来容纳，例如芯片键合和引线键合。虽然这种封装方法可以很好地与SiC配合使用，但它仅适用于低频电路（几十kHz）。一旦使用高频，寄生电容和电感就会变得太大，从而阻止了基于SiC的器件实现其全部潜力。

同样，要充分利用GaN器件，封装必须具有极低的寄生电感和高热性能。新的封装方法，例如在类似于多层印刷电路板的封装中嵌入芯片，以低成本实现了所需的性能，同时还消除了导致其自身器件可靠性问题的引线键合。

作为控制器和功率器件之间接口的关键元件是栅极驱动器。对于采用新器件的电子设计人员来说，栅极驱动设计始终是一个问题，因此了解如何驱动SiC和GaN功率器件非常重要。要求是：

l 高电源电压，通过低传导损耗实现高效率

l 高驱动强度，实现低开关损耗

l 快速短路保护

l 较小的传播延迟和变化，实现高效率和快速系统控制

l 高dv / dt免疫力

一些早期的GaN器件需要特殊的驱动器来防止栅极过压。现在可以使用具有宽Vg容差的新一代E-HEMT，只需改变栅极电压，就可以通过许多标准MOSFET驱动器驱动。GaN FET是横向器件，因此需要相对低的最佳驱动电压。因此，总体而言，GaN器件对Si MOSFET和IGBT具有类似的栅极驱动要求。要求包括：

l 较小的栅极电荷 - 较低的驱动损耗，较快的上升和下降时间

l 降低栅极电压

l 负电压可提高栅极驱动的稳健性

l 使用栅极电阻控制压摆率

好处是许多SiC和GaN解决方案供应商都在包装内部添加了额外的电子元件，因此它们可以直接替代当前的设计。

结论

为了满足逆变器和车载充电器等EV系统的效率和功率密度要求，汽车电力电子设计人员现在能够利用更先进的WBG半导体，如SiC和GaN。与传统的硅器件相比，它们具有更低的损耗，更高的开关频率，更高的工作温度，恶劣环境下的稳健性以及高击穿电压。

GaN和SiC可以在更高的温度下工作，具有相似的预期寿命，或者可以在与具有更长寿命的Si器件相似的温度下工作。这为设计工程师提供了不同的设计路径，具体取决于应用要求。

使用WBG材料还允许设计人员从多种策略中进行选择以适应他们的设计目标：使用相同的开关频率并增加输出功率; 使用相同的开关频率，减少系统所需的散热量，节省总成本; 或者增加开关频率，同时保持开关中相同的功率损耗。